Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser

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dc.creatorRamírez, Iliana M.
dc.creatorLópez, Francisco E.
dc.date2010-12-15
dc.date.accessioned2025-10-01T23:51:26Z
dc.descriptionWe study the electronic Landé factor control by changing of both intensity and frequency intense laser field on cylindrical quantum well wire. We use the laser dressed approximation for treated the “quantum wire + laser” system as quantum wire in the absence of radiation but with parameter (electronic barrier height and electronic effective mass) renormalized by laser effects. We consider a magnetic field applied to parallel direction of symmetric axis of quantum well wire. We take into account nonparabolicity and anisotropy effects on the conduction band by Ogg-McCombe Hamiltonian.en-US
dc.descriptionEn el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistema “hilo cuántico + láser” como un hilo cuántico en ausencia de radiación, pero con parámetros (altura de la barrera para los electrones de conducción y masa efectiva electrónica) renormalizados por los efectos del láser. Se tiene en cuenta un campo magnético aplicado en la dirección paralela al eje del hilo cuántico. Los efectos de la no parabolicidad y de la anisotropía de la banda de conducción son tenidos en cuenta mediante el uso del Hamiltoniano de Ogg-McCombe.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.identifierhttps://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468
dc.identifier10.22430/22565337.468
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12622/7504
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Tecnológico Metropolitano (ITM)es-ES
dc.relationhttps://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468/474
dc.rightsDerechos de autor 2017 Tecno Lógicases-ES
dc.sourceTecnoLógicas; Special edition II (2010); 49-59en-US
dc.sourceTecnoLógicas; Edición Especial II (2010); 49-59es-ES
dc.source2256-5337
dc.source0123-7799
dc.subjectLandé factoren-US
dc.subjectlaser dressingen-US
dc.subjectmagnetic fielden-US
dc.subjectquantum well wireen-US
dc.subjectsemiconductors.en-US
dc.subjectCampo magnéticoes-ES
dc.subjectfactor de Landées-ES
dc.subjecthilos cuánticoses-ES
dc.subjectláseres-ES
dc.subjectsemiconductoreses-ES
dc.titleControl del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láseren-US
dc.titleControl del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láseres-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.typeArticlesen-US
dc.typeArtículoses-ES

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