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Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5

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1064-Manuscrito-2538-1-10-20181005.pdf (721.5Kb)
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Date
2018-09-14
Author
Valencia-Balvín, Camilo
Pérez-Walton, Santiago
Osorio-Guillén, Jorge M.
Keywords
Ta2O5; teoría de los funcionales de la densidad; PBEsol; HSE06; constante dieléctrica
Metadata
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PDF Documents
Abstract
Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor.
URI
http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066
Collections
  • Vol. 21 Núm. 43 (2018) [11]

Departamento de Biblioteca y Extensión Cultural
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