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Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5

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Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5
Date
2018-09-14
Author
Valencia-Balvín, Camilo
Pérez-Walton, Santiago
Osorio-Guillén, Jorge M.
Publisher
Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM)

Citation

       
TY - GEN T1 - Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5 AU - Valencia-Balvín, Camilo AU - Pérez-Walton, Santiago AU - Osorio-Guillén, Jorge M. Y1 - 2018-09-14 UR - http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066 AB - Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor. ER - @misc{20.500.12622_1066, author = {Valencia-Balvín Camilo and Pérez-Walton Santiago and Osorio-Guillén Jorge M.}, title = {Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5}, year = {2018-09-14}, abstract = {Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor.}, url = {http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066} }RT Generic T1 Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5 A1 Valencia-Balvín, Camilo A1 Pérez-Walton, Santiago A1 Osorio-Guillén, Jorge M. YR 2018-09-14 LK http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066 AB Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor. OL Spanish (121)
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Metadata
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Abstract
Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor.
Abstract
Ta2O5 is a wide-bandgap semiconductor that offers interesting applications in microwavecommunications, mainly related to the manufacture of filters and resonators whosesize is inversely proportional to the dielectric constant of the material. For that reason, inthis work we present a theoretical study, based on density functional theory (using PBEsoland hybrid HSE06 exchange-correlation functionals), of the electronic and dielectricproperties of the orthorhombic model -Ta2O5. We found that this model has a direct gap of2.09 and 3.7 eV with PBEsol and HSE06, respectively. Furthermore, the calculated staticdielectric constant, 51, is in good agreement with the reported values of other phases of thissemiconductor.
Palabras clave
Ta2O5; teoría de los funcionales de la densidad; PBEsol; HSE06; constante dieléctrica
keywords
Ta2O5; density functional theory; PBEsol; HSE06; dielectric constant
URI
http://hdl.handle.net/20.500.12622/1066
Collections
  • Vol. 21 Núm. 43 (2018) [11]

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