Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5
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Date
2018-09-14Author
Valencia-Balvín, Camilo
Pérez-Walton, Santiago
Osorio-Guillén, Jorge M.
Keywords
Ta2O5; teoría de los funcionales de la densidad; PBEsol; HSE06; constante dieléctricaMetadata
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Abstract
Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a laconstante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudioteórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbridoHSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas ydieléctricas del modelo ortorrómbico -Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene ungap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constantedieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otrasfases de este semiconductor.