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dc.contributor.authorGiraldo-Giraldo, Olga M.
dc.contributor.authorPérez-Walton, Santiago
dc.contributor.authorOsorio-Guillén, Jorge M.
dc.date.accessioned2019-07-18T14:13:13Z
dc.date.accessioned2019-08-22T14:07:47Z
dc.date.available2019-07-18T14:13:13Z
dc.date.available2019-08-22T14:07:47Z
dc.date.issued2017-09-04
dc.identifierhttps://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/704
dc.identifier10.22430/22565337.704
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12622/1024
dc.description.abstractNb2O5 y Ta2O5 son óxidos semiconductores de brecha ancha, los cuales en los últimos años han despertado gran interés debido a sus múltiples aplicaciones tecnológicas, ya sea en electrónica, telecomunicaciones o fotocatálisis. Por estas razones, en este trabajo presentamos un estudio a partir de cálculos de primeros principios de las propiedades piezoeléctricas de las fases Z y β de Ta2O5, y de las fases Z y P de Nb2O5 utilizado la teoría de los funcionales de la densidad y la aproximación del gradiente, generalizado con la parametrización PBEsol. Una vez determinada la geometría de equilibrio para cada una de estas fases, realizamos un cálculo utilizando respuesta lineal para determinar el tensor piezoeléctrico asociado a cada una de estas fases, encontrando que la fase Z para ambos compuestos presenta una buena respuesta piezoeléctrica. Adicionalmente, encontramos que la fase β-Ta2O5 no presenta respuesta piezoeléctrica.spa
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isospa
dc.publisherInstituto Tecnológico Metropolitano (ITM)spa
dc.relationhttps://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/704/685
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by/3.0/deed.es_ESspa
dc.source2256-5337
dc.source0123-7799
dc.sourceTecnoLógicas; Vol 20 No 40 (2017); 43-51eng
dc.sourceTecnoLógicas; Vol. 20 Núm. 40 (2017); 43-51spa
dc.subjectPiezoelectricidadspa
dc.subjectsemiconductores de brecha anchaspa
dc.subjectNb2O5, Ta2O5spa
dc.subjectprimeros principiosspa
dc.titlePropiedades piezoeléctricas del Pentóxido de Niobio y Pentóxido de Tantalio: un estudio desde primeros principiosspa
dc.title.alternativeA first-principles study of the piezoelectric properties of Niobium and Tantalum Pentoxides
dc.subject.keywordsPiezoelectricity,eng
dc.subject.keywordswide-bandgap semiconductorseng
dc.subject.keywordsNb2O5, Ta2O5eng
dc.subject.keywordsirst-principles.eng
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.typeResearch Papersen-US
dc.typeArtículos de investigaciónes-ES
dc.description.abstractenglishNb2O5 and Ta2O5 are wide-bandgap semiconductor oxides that have attracted great interest in recent years due to their technological applications, such as in electronics, telecommunications or photocatalysis. Because of this, we present a study based on first-principles calculations of the piezoelectric properties of the Z and β phases of Ta2O5 as well as the Z and P phases of Nb2O5 by using the Density Functional Theory and the Generalized Gradient Approximation with PBEsol parameterization. Once the equilibrium geometry was determined for each of these phases, we made a calculation using the linear response theory to determine the piezoelectric tensor associated with each phase. We discovered that the Z phase of both compounds presents good piezoelectric response. Additionally, β-Ta2O5 does not show such response.eng


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