Browsing by Author "Osorio-Guillén, Jorge M."
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Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5
Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M. (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2018-09-14)Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño ... -
Efectos de los métodos de molienda en la síntesis de polvos de Niobato de Sodio y Potasio por mezcla de óxidos
Quintero, María C.; Rincón, Miryam; Osorio-Guillén, Jorge M.; López, Diana; Londoño-Badillo, Fernando Andrés (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2019-09-20)Los materiales piezoeléctricos son ampliamente utilizados en dispositivos electrónicos. Tradicionalmente, para tales aplicaciones, se han utilizado diversos materiales a base de plomo; sin embargo, debido al daño causado ... -
Propiedades piezoeléctricas del Pentóxido de Niobio y Pentóxido de Tantalio: un estudio desde primeros principios
Giraldo-Giraldo, Olga M.; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M. (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2017-09-04)Nb2O5 y Ta2O5 son óxidos semiconductores de brecha ancha, los cuales en los últimos años han despertado gran interés debido a sus múltiples aplicaciones tecnológicas, ya sea en electrónica, telecomunicaciones o fotocatálisis. ...