• Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5 

      Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M. (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2018-09-14)
      Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño ...
    • Editorial 

      Valencia-Balvín, Camilo (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2010-12-15)
    • Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5 

      Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2011-12-20)
      En este trabajo hemos investigado teóricamente las propiedades electrónicas y ópticas del óxido de niobio B-Nb2O5para una de sus fases cristalinas, a saber la fase B. Usamos la Teoría de los Funcionales de la Densidad junto ...