Listar por autor "Pérez-Walton, Santiago"
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Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta2O5
Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M. (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2018-09-14)Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones encomunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con lafabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño ... -
Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5
Valencia-Balvín, Camilo; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2011-12-20)En este trabajo hemos investigado teóricamente las propiedades electrónicas y ópticas del óxido de niobio B-Nb2O5para una de sus fases cristalinas, a saber la fase B. Usamos la Teoría de los Funcionales de la Densidad junto ... -
Propiedades piezoeléctricas del Pentóxido de Niobio y Pentóxido de Tantalio: un estudio desde primeros principios
Giraldo-Giraldo, Olga M.; Pérez-Walton, Santiago; Osorio-Guillén, Jorge M. (Instituto Tecnológico Metropolitano (ITM), 2017-09-04)Nb2O5 y Ta2O5 son óxidos semiconductores de brecha ancha, los cuales en los últimos años han despertado gran interés debido a sus múltiples aplicaciones tecnológicas, ya sea en electrónica, telecomunicaciones o fotocatálisis. ...